Транзистор П213Б

Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.

Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.

Тип прибора указан на корпусе.

Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Технические условия: аА0.336.123 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора П213Б:

• Структура транзистора: p-n-p

• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;

• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;

• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;

• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;

• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;

• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА;

• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40;

• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом

Технические характеристики транзисторов П213, П213А, П213Б:

Тип

транзистора Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП

max Т

max

IК

max IК. И.

max UКЭR max

(UКЭ0 max) UКБ0 max UЭБ0 max РК max

(РК. Т. max) h21Э UКЭ

нас. IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ

А А В В В Вт В мкА мкА МГц дБ пФ пФ °С °С

П213 p-n-p 5 - 40 45 15 11,5 20...50 0,5 0,15 0,3 0,15 - - - 85 -60…+70

П213А p-n-p 5 - 30 45 10 10 >20 - 1 0,4 0,15 - - - 85 -60…+70

П213Б p-n-p 5 - 30 45 10 10 >40 2,5 1 0,4 0,15 - - - 85 -60…+70

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.

• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.

• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.

• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.

• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.

• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.

• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.

• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.

• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.

• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.

• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.

• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.

• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.

• КШ - коэффициент шума транзистора.

• СК - емкость коллекторного перехода.

• СЭ - емкость коллекторного перехода.

• ТП max - максимально допустимая температура перехода.

• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.